Izgudrojums attiecas uz plānu daudzslāņu dielektriķu izgatavošanu no Si3N4 materiāla. Metode paredz vairāku vienāda ķīmiskā sastāva slāņu uzklāšanu vienu uz otra. Katrs nākamais slānis aizklāj iepriekšējā slāņa caurumdefektus. Si3N4 slāņus nogulsnē, izmantojot ķīmiskās tvaiku nogulsnēšanas paņēmienu, kurā notiek ķīmiska reakcija starp divām gāzveida izejvielām. Viena izejviela ir Si saturoša gāze, bet otra – NH3 gāze. Pēc katra slāņa nogulsnēšanas aptur Si saturošās gāzes padevi un veic nogulsnētā slāņa virsmas atkvēlināšanu 700-8000C temperatūrā NH3 gāzes plūsmā. Metode nodrošina caurumdefektu novēršanu.