Izgudrojums attiecas uz tehnisko fiziku un var tikt lietots elektronikā un mikroelektronikā. Piedāvātais pusvadītāja kristāliskas struktūras uzlabošanas paņēmiens, kur ar lāzera starojumu metāla ieslēgumi kristāla tilpumā tiek sasildīti līdz kušanas temperatūrai. Rezultātā notiek defektu atdedzināšana un piemaisījumu segregācija apkārt metāla ieslēgumiem.Izgudrojuma paņēmienu var lietot CdZnTe detektora jutīgā elementa uzlabošanai ražošanas procesa laikā vai pēc detektora nolietošanas, pievienojot lāzerapstrādes posmu.