Izgudrojums attiecas uz tehnisko fiziku un var tikt izmantots gaismu absorbējošo un gaismu izstarojošo pusvadītāju ierīču ražošanā, piemēram, saules elementos, fotodiodēs, gaismas diodēs u.c. Izgudrojuma mērķis ir izstrādāt paņēmienu, lai, apstarojot kristāliska SnS2 parauga virsmu ar Nd:YAG, Nd:YLF, Yb:KYW vai Nd:YAP impulsu lāzera starojumu, veidotos fāžu pāreja no SnS2 uz SnS un no SnS uz alvas metālisko fāzi. Piedāvātais fāžu pāreju ierosināšanas paņēmiens alvas sulfīdos, kurš ietver fāžu pāreju ierosināšanu SnS2, apstarojot tā virsmu ar lāzera starojumu, ja SnS2 absorbcijas koeficients ir ne mazāks par 104 cm-1 un ne lielāks par 105 cm-1, lāzera starojuma intensitāte ir no 7 līdz 12 MW/cm2 un impulsa ilgums ir no 1 līdz 10 ns, SnS2 virsmas slānī izveido SnS slāni ar biezumu, vienādu ar vai mazāku par 5 μm, bet, apstarojot SnS virsmu ar lāzera starojumu, ja SnS absorbcijas koeficients ir ne mazāks par 104 cm-1 un ne lielāks par 105 cm-1, lāzera starojuma intensitāte no 12 līdz 15 MW/cm2 un impulsa garumu no 1 līdz 10 ns, SnS virsmas slānī izveido alvas metālisko fāzi ar slāņa biezumu, vienādu ar vai mazāku par 5 μm.