Atslēgas vārdi p-n junction, i-Ge crystal, laser radiation
Medvids, A., Rimša, R., Onufrijevs, P., Daukšta, E., Mozoļevskis, G., Puritis, T. Mechanisms of P-N Junction Formation in I-Ge Crystal by Laser Radiation. No: International Conference on Extended Defects in Semiconductors (EDS-2012): Book of Abstracts, Grieķija, Thessaloniki, 24.-29. jūnijs, 2012. Thessaloniki: 2012, 139.-139.lpp.
Publikācijas valoda English (en)
Publikācijas veids Raksts konferenču tēžu krājumā
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Nav zināms
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Šī vietne izmanto sīkdatnes, lai uzlabotu lietošanas pieredzi un optimizētu tās darbību. Turpinot lietot šo vietni, Jūs piekrītiet sīkdatņu lietošanai!