Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Publikācija: Interface of Silicon Nitride Nanolayers with Oxygen Deficiency
| Publikācijas veids | Publikācijas konferenču materiālos, kas ir indeksēti Web of Science un/vai SCOPUS |
|---|---|
| Pamatdarbībai piesaistītais finansējums | Pētniecības projekti |
| Aizstāvēšana: | , |
| Publikācijas valoda | English (en) |
| Nosaukums oriģinālvalodā | Interface of Silicon Nitride Nanolayers with Oxygen Deficiency |
| Pētniecības nozare | 2. Inženierzinātnes un tehnoloģijas |
| Pētniecības apakšnozare | 2.5. Materiālzinātne |
| Pētniecības platforma | Materiāli, procesi un tehnoloģijas |
| Autori |
Jurijs Dehtjars
Līga Avotiņa Gennady Enichek Marina Romanova Ben Schmidt Evgeny Shulzinger Hermanis Sorokins Aleksandrs Viļķens Aleksandrs Zaslavski |
| Atslēgas vārdi | silicon nitride, nanolayer, oxygen |
| Anotācija | Multilayer Si3N4 consisting of Si3N4 nanolayers with the total thickness 60 nm was deposited layer-by-layer in a low-pressure chemical vapor deposition process. Compared with the single-layer Si3N4, the multilayer Si3N4 had one-third less oxygen concentration at the interfaces. This decreased density of electrically active centers of oxygen traps and improved quality of nanocapacitors with multilayer Si3N4 dielectric. |
| DOI: | 10.1109/BEC.2018.8600964 |
| Hipersaite: | https://ieeexplore.ieee.org/document/8600964  |
| Atsauce | Dehtjars, J., Avotiņa, L., Enichek, G., Romanova, M., Schmidt, B., Shulzinger, E., Sorokins, H., Viļķens, A., Zaslavski, A. Interface of Silicon Nitride Nanolayers with Oxygen Deficiency. No: 2018 16th Biennial Baltic Electronics Conference (BEC 2018): Proceedings, Igaunija, Tallinn, 8.-10. oktobris, 2018. Piscataway: IEEE, 2019, 43.-46.lpp. ISBN 978-1-5386-7313-3. e-ISBN 978-1-5386-7312-6. ISSN 1736-3705. e-ISSN 2382-820X. Pieejams: doi:10.1109/BEC.2018.8600964 |
| Papildinformācija |
Citējamību skaits: |
| ID | 28321 |
