Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Dynamics of Nanostructure Formation Using Point Defects on Semiconductors by Laser Radiation

Publikācijas veids Raksts konferenču tēžu krājumā
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Nav zināms
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Dynamics of Nanostructure Formation Using Point Defects on Semiconductors by Laser Radiation
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Autori Jānis Barloti
Edvīns Daukšta
D. Grabovskis
Artūrs Medvids
Pāvels Onufrijevs
Artūrs Plūdons
A. Ulyashin
Atslēgas vārdi Nanostructure, Point Defects, Laser Radiation
Anotācija Dynamics of nanostructures (nanocones and nanocavties) formation on surface of semiconductors by laser radiation based on Thermogradient effect (TGE) is studied. Nanostructures formation of both nanohills and nanocavities are explained by point defects redistribution in gradient of temperature at the irradiated surface. Study of photoluminescence (PL), atomic force mi-croscopy (AFM) and Raman back-scattering spectra speak in favour of presence of quantum confinement effect (QCE) on the top of nanocones on the irradiated surface of semiconductor single crystals. Aggregation of vacancies under the irradiated sur-face forms nanocavities.
Atsauce Barloti, J., Daukšta, E., Grabovskis, D., Medvids, A., Onufrijevs, P., Plūdons, A., Ulyashin, A. Dynamics of Nanostructure Formation Using Point Defects on Semiconductors by Laser Radiation. No: Extended Defects in Semiconductors: Program and Abstracts, Francija, Poitiers , 14.-19. septembris, 2008. Poitiers: Université de Poitiers, 2008, 6.-6.lpp.
Pilnais teksts Pilnais teksts
ID 4040