Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Switch-Off Behaviour of 6.5 kV IGBT Modules in Two-Level Voltage Source Inverter

Publikācijas veids Publikācija RTU zinātniskajā žurnālā
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Nav zināms
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Switch-Off Behaviour of 6.5 kV IGBT Modules in Two-Level Voltage Source Inverter
Pētniecības nozare 2. Inženierzinātnes un tehnoloģijas
Pētniecības apakšnozare 2.2. Elektrotehnika, elektronika, informācijas un komunikāciju tehnoloģijas
Autori Andrei Blinov
Tanel Jalakas
Dmitri Vinnikov
Kuno Janson
Atslēgas vārdi pulse width modulated power converters, insulated gate bipolar transistor, freewheeling state, oscillations
Anotācija This paper presents an analysis of the switch-off process of 6.5 kV/200 A IGBT modules in a two-level half-bridge voltage source inverter. During experiments, it was stated that real switching process is far from ideal switch-off since parasitic inductance and capacitance in the circuit cause voltage spikes and high frequency oscillations during transition processes. Operation states of the inverter are described and analyzed. Experimental and simulation results are compared, the main transients are analyzed and mathematically expressed and possible problems and solutions are discussed.
Atsauce Blinov, A., Jalakas, T., Vinnikov, D., Janson, K. Switch-Off Behaviour of 6.5 kV IGBT Modules in Two-Level Voltage Source Inverter. Enerģētika un elektrotehnika. Nr.27, 2010, 121.-126.lpp. ISSN 1407-7345.
Pilnais teksts Pilnais teksts
ID 8541