Моделирование процессов изменения компонентного состава sige-материала при импульсном лазерном облучении

Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1: Физика. Математика. Информатика 2010
E Панфиленок, И Манак, Artūrs Medvids, Pāvels Onufrijevs

Проведены численные расчеты процессов нагревания полупроводников при воздействии лазерного излучения, а также процессов изменения компонентного состава в приповерхностной области SiGe, вызванных их неравномерным нагревом. Предложена физическая модель процессов формирования трехмерных структур на поверхности полупроводников и образования δ-слоя Ge в кремнии под действием лазерных импульсов.

Atslēgas vārdi
modeling, SiGe, semiconductor
Hipersaite
http://elib.bsu.by/handle/123456789/2140

Панфиленок, E., Манак, И., Medvids, A., Onufrijevs, P. Моделирование процессов изменения компонентного состава sige-материала при импульсном лазерном облучении. Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1: Физика. Математика. Информатика, 2010, No. 1, 67.-71.lpp. ISSN 0321-0367.

Publikācijas valoda
Russian (ru)