Zinātniskās darbības atbalsta sistēma
Latviešu English

Publikācija: Increase of CdZnTe Crystal Radiation Hardness by Laser Radiation

Publikācijas veids Raksts konferenču tēžu krājumā
Pamatdarbībai piesaistītais finansējums Nav zināms
Aizstāvēšana: ,
Publikācijas valoda English (en)
Nosaukums oriģinālvalodā Increase of CdZnTe Crystal Radiation Hardness by Laser Radiation
Pētniecības nozare 1. Dabaszinātnes
Pētniecības apakšnozare 1.3. Fizika un astronomija
Autori Artūrs Medvids
Aleksandrs Mičko
Jānis Barloti
Yuriy Naseka
Ernesto Diéguez
Atslēgas vārdi radiation, cdznte, semiconductor, laser
Anotācija Decrease of  - radiation influence on intensity of A0X exiton band in photoluminescence spectrum of CdZnTe crystals previously irradiated by second harmonic of Nd:YAG laser is observed. This effect of suppression of Cd vacancies (acceptors) generated by  - radiation, which means increase of radiation hardness of the crystal is explained by formation of thin CdTe film layer under action of laser radiation.
Atsauce Medvids, A., Mičko, A., Barloti, J., Naseka, Y., Diéguez, E. Increase of CdZnTe Crystal Radiation Hardness by Laser Radiation. No: The 9th International Conference on Global Research and Education: Inter Academia 2010 : Digest, Latvija, Riga, 9.-12. augusts, 2010. Riga: RTU Publishing House, 2010, 264.-266.lpp. ISBN 978-9934-10-046-8.
Pilnais teksts
ID 9452